სტატიები / საქართველოში გამოცემული

ფილტრი

ფაკულტეტი/ინსტიტუტი:

დეპარტამენტები ვერ მოიძებნა

შეიყვანეთ სახელი: და გვარი:

ან

პირადი ნომერი: ან ამოირჩიეთ გამოქვეყნების თარიღი:
მოცემულ კატეგორიაში წარმოდგენილია:  20 ჩანაწერი /  26198 ჩანაწერიდან.


ძებნის განულება

ს. შარაშენიძე, Шарашенидзе Г.С., Куртанидзе П., Дундуа Т.. Влияние зазора на структуру дифференциальных уравнений добавочного движения оптимальной тормозной передачи. . Научные труды ГТУ, ISSN 1512-0996,. 2011წ. № 2(480), Тбилиси, 2011, с. 86-90..

И. Бердзенишвили. Влияние замены оксида натрия оксидом лития на свойства циркониевых химико-аппаратурных эмалевых покрытий. Ceramics. 2004წ. 2(12), стр. 19-21.

Г. Kирмелашвили, Махарадзе Л.И. Влияние изменения толщины стенок трубопровода на скорость распространения волны гидравлического удара. Сообщения АН Грузии, т. 145, № 2. 1992წ. с. 385-388.

Г. Kирмелашвили. Влияние изменения упругости потока гидроаэросмеси на величины скорости распространения волны гидравлического удара в трубопроводе постоянного сеяения . Сообщения АН ГССР, т. 133, № 3. 1989წ. c. 517-520.

ვ. ხარიტონაშვილი, Р.Турашвили . Влияние износа протектора шин на техническое состояние АТС. Журнал Georgian engineering Nevs, №1. v.i. Press Co LTD. 2004წ. .

ს. შარაშენიძე, Шарашенидзе Г.С., Куртанидзе П., Купарашвили Л.. Влияние износа элементов шарнирных соединении на упруго-поперечные колебания рычагов тормозной передачи пассажирского вагона.. Научные труды ГТУ, ISSN 1512-0996,. 2010წ. №2 (476), Тбилиси, 2010, с. 122-125..

Г. Шарашенидзе, Куртанидзе П., Шарашенидзе С., Купарашвили Л.. Влияние износа элементов шарнирных соединении на упруго-поперечные колебания рычагов тормозной передачи пассажирского вагона.. Научные труды ГТУ, ISSN 1512-0996,. 2010წ. №2 (476), Тбилиси, 2010, с. 122-125..

ნ. მაისურაძე, Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И., Хасия, Н.И. Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффе ктивность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si.. GEORGIAN ENGINEE RING NEWS. 2007წ. , №1,2007, p.25-26..

ნ. ხარშილაძე, Пагава Т.А. Харашвили О.Г. Майсурадзе Н.И. Хасия Н.И. Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si.. Georgian Enginnering News. 2007წ. No. 1, 2007, c. 25-26..

Пагава Т.А. Харашвили О.Г. Майсурадзе Н.И. Хасия Н.И. Харшиладзе Н.Ш. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si. . Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А. Харашвили О.Г. Майсурадзе Н.И. Хасия Н.И. Харшиладзе Н.Ш. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si. . Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si.. Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И, Хасия Н.И., Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si.. Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И, Хасия Н.И, Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si.. Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И., Хасия Н.И., Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si.. Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И, Хасия Н.И., Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si. . Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И., Хасия Н.И., Харшиладзе Н.Ш.. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si. . Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Пагава Т.А., Харашвили О.Г., Майсурадзе Н.И., Хасия Н.И., Харшиладзе Н.Ш., null. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si. . Georgian Enginnering News. 0წ. №1, 2007, с. 25-26..

Т. Фагава, О. Харашвили, Н. Майсурадзе, Н. Хасия, Н. Каршиладзе. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения глубоких акцепторных центров в кристаллах n-Si. . Georgian engineering News. 2007წ. Georgian engineering News,N 1, 2007, p. 25-26, 8 .

Т. Цинцадзе, И.О. Гвелесиани, Н.Д. Геловани , М.Г. Цинцадзе. Влияние карбоксилат ных координационных соедине ний цинка с амидами пиридинкарбоновых кислот на текучесть сахар крови, потребление кислорода тканями и электродиограмму у животных. Труды Груз.Техн. Университета . 1999წ. №1 (425), C.11-14 .