სტატიები / საქართველოში გამოცემული

ფილტრი

ფაკულტეტი/ინსტიტუტი:

დეპარტამენტები ვერ მოიძებნა

შეიყვანეთ სახელი: და გვარი:

ან

პირადი ნომერი:

მოცემულ კატეგორიაში წარმოდგენილია:  20 ჩანაწერი /  21728 ჩანაწერიდან.


ძებნის განულება

თ. სულაბერიძე. . . 0წ. .

გ. მალაშხია. . . 0წ. .

. . მეცნირება და ტექნოლოგიები. 2009წ. .

თ. ნარეკლიშვილი, М.Нозадзе. . . 0წ. .

. . . 0წ. .

. . . 0წ. .

D. Ugulava. On some generalization of Vallee-Poussin's summation method. Proceedings of Comp. Center Georg. Ac. Sci., (in Russian). 1977წ. 17:1, 159-172.

ქ. კვესელავა. ''ავტომატიზირებული მხატვრული ქარგვის სრულყოფის ზოგიერთი მეთოდოლოგიური საკითხები''. ჟურნალი ''საქართველოს საინჟინრო სიახლენი''. 2011წ. # 4.(vol 60) გვ. 70-72.

მ. ლომიძე. ,,ცხოვლად სულს დააჩნდების”(ქართული პუბლიცისტიკის XIX საუკუნის ქრესტომათიის გამო).. საქართველოს განათლების მეცნიერებათა აკადემიის ჟურნალ ,,მოამბის” დამატება. შრომები.1(13), . 2009წ. Gგვ.153-156. .

. 2. კომპანიის მართვის ეფექტიანობის შეფასების ზოგიერთი თეორიული და მეთოდოლოგიური ასპექტები. „გადასახადები“ სამეცნიერო პრაქტიკული კავკასიის საერთაშორისო უინივერსიტეტის მაცნე . 20015წ. N8., გვ. 65.

N. Gamsaxurdia. Abraham Lincoln Phenomenon.. Annual International Conference on American Studies. 0წ. 2013. International Black Sea University. Tbilisi, Georgia.

D. Ugulava. Approximate calculation of space Cauchy integrals. . Proceedings of Comp. Center Georg. Ac. Sci., (in Russian),. 1969წ. 9:1, 70-77.

R. Meskhia. Change of temperature anomalies frequency in Georgia. Bull. Georg. Acad. Sci.. 2002წ. vol.170, N2, pp. 298-300.

T. Paghava, L. Chkhartishvili, , null. Dependence of the electron hall mobility in proton irradiated n-Si on the annealing temperature. Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. 2005წ. Georgian Academy of Sciences, 172, N 2, 2005, p. 237-239, 3.

T. Paghava, L. Chkhartishvili, N. Maisuradze, , N. Khasia, G. Mtskeradze). Dependence of the electron hall mobility in proton irradiated n-Si on the annealing temperature.. Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. 2005წ. Academy of Sciences, 172, N 2, 2005, p. 237-239, 3 .

T. Paghava, Z. Basheleishvili, N. Maisuradze, , E. Kytelia. Depenence of a charging condition metastable frenkel pairs from temperature of an irradiation in crystals n-Si.. Bulletin of the Georgian Aсademy of Sciences.. 2003წ. Bulletin of the Georgian Aсademy of Sciences,168, 1. 2003, p. 52-54, 3 .

T. Paghava, O. Kharasvili, N. Maisuradze,, B. Eristavi, . Effect of radiated temperature on radiative resistance of n-Si crystals. . Georgian engineering . 2004წ. Georgian engineering news, N 3, 2004, pp. 40-42, 3 .

Т. Фагава, Z.Basheleishvili, , E. Kutelia, , G. Tsintsadze, M. Stamateli, . Influence of charge state of Frenkel pairs on the efficiency of the formation of radiation defects in n-type silicon crystals. . Bulletin of the Georgian academy of sciences. 2002წ. Bulletin of the Georgian academy of sciences.165, N 2, 2002, c. 279, 2 .

D. Ugulava. On approximation of functions by entire functions of exponential types. Proceedings of Niko Muskhelishvili Inst. of Comput. Math., (in Russian. 1988წ. 28:1, 192-202.

E. Abramidze. On one variant of improved, more accurate theory of laminated elastic orthotropic shells of rotation in unsymmetric deformations.. . Bulletin of TICMI, 2, 1998, pp.17-22.. 1998წ. Bulletin of TICMI, 2, 1998,Tbilisi, pp.17-22..